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价格(含税)

资料

型号: IPG15N06S3L-45

品牌: Infineon (英飞凌)

封装: PG-TDSON-8-4

品类: MOS管

描述: 的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-Transistor

6328

5+

￥2.3490

25+

￥2.1750

50+

￥2.0532

100+

￥2.0010

500+

￥1.9662

2500+

￥1.9227

5000+

￥1.9053

10000+

￥1.8792

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型号: IPG20N06S4-15

品牌: Infineon (英飞凌)

封装: PG-TDSON-8-4

品类: MOS管

描述: Infineon OptiMOS™ T2 功率 MOSFET Infineon 新的 OptiMOS ™ -T2 具有一系列节能 MOSFET 晶体管，可减少 CO2 并采用电力驱动。新的 OptiMOS™ -T2 产品系列扩展了现有的 OptiMOS™ -T 和 OptiMOS™ 系列。 OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 AEC 合格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度绿色产品（符合 RoHS 标准） ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

7914

5+

￥6.0480

25+

￥5.6000

50+

￥5.2864

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￥5.1520

500+

￥5.0624

2500+

￥4.9504

5000+

￥4.9056

10000+

￥4.8384

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型号: IPG20N06S4L26ATMA1

品牌: Infineon (英飞凌)

封装: PG-TDSON-8-4

品类: MOS管

描述: INFINEON IPG20N06S4L26ATMA1 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 60 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.7 V

6771

5+

￥3.5640

25+

￥3.3000

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￥3.1152

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￥3.0360

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￥2.9832

2500+

￥2.9172

5000+

￥2.8908

10000+

￥2.8512

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型号: IPG20N06S4L-26

品牌: Infineon (英飞凌)

封装: PG-TDSON-8-4

品类: MOS管

描述: INFINEON IPG20N06S4L-26 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 60 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.7 V

7431

5+

￥3.5910

25+

￥3.3250

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￥3.1388

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￥3.0590

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￥3.0058

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￥2.9393

5000+

￥2.9127

10000+

￥2.8728

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型号: IPG20N04S412ATMA1

品牌: Infineon (英飞凌)

封装: PG-TDSON-8-4

品类: MOS管

描述: Infineon OptiMOS T2 系列双 Si N沟道 MOSFET IPG20N04S412ATMA1, 20 A, Vds=40 V, 8引脚 TDSON封装

5210

5+

￥2.6865

25+

￥2.4875

50+

￥2.3482

100+

￥2.2885

500+

￥2.2487

2500+

￥2.1990

5000+

￥2.1791

10000+

￥2.1492

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型号: IPG20N06S3L-35

品牌: Infineon (英飞凌)

封装: PG-TDSON-8-4

品类: MOS管

描述: 的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-Transistor

4403

5+

￥2.8485

25+

￥2.6375

50+

￥2.4898

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￥2.4265

500+

￥2.3843

2500+

￥2.3316

5000+

￥2.3105

10000+

￥2.2788

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型号: IPG16N10S461ATMA1

品牌: Infineon (英飞凌)

封装: PG-TDSON-8-4

品类: MOS管

描述: 晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 100 V, 0.053 ohm, 10 V, 2.8 V

4190

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型号: IPG20N04S4L-07

品牌: Infineon (英飞凌)

封装: PG-TDSON-8-4

品类: MOS管

描述: 的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-Transistor

3427

10+

￥8.0640

100+

￥7.6608

500+

￥7.3920

1000+

￥7.3786

2000+

￥7.3248

5000+

￥7.2576

7500+

￥7.2038

10000+

￥7.1770

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型号: IPG20N04S4-12

品牌: Infineon (英飞凌)

封装: PG-TDSON-8-4

品类: MOS管

描述: Infineon OptiMOS™ T2 功率 MOSFET Infineon 新的 OptiMOS ™ -T2 具有一系列节能 MOSFET 晶体管，可减少 CO2 并采用电力驱动。新的 OptiMOS™ -T2 产品系列扩展了现有的 OptiMOS™ -T 和 OptiMOS™ 系列。 OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 AEC 合格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度绿色产品（符合 RoHS 标准） ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

4566

5+

￥27.7524

50+

￥26.5664

200+

￥25.9022

500+

￥25.7362

1000+

￥25.5702

2500+

￥25.3804

5000+

￥25.2618

7500+

￥25.1432

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型号: IPG20N06S2L65ATMA1

品牌: Infineon (英飞凌)

封装: PG-TDSON-8-4

品类: MOS管

描述: Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPG20N06S2L65ATMA1, 20 A, Vds=55 V, 8引脚 TDSON封装

4271

5+

￥6.5610

25+

￥6.0750

50+

￥5.7348

100+

￥5.5890

500+

￥5.4918

2500+

￥5.3703

5000+

￥5.3217

10000+

￥5.2488

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型号: IPG20N06S2L35ATMA1

品牌: Infineon (英飞凌)

封装: PG-TDSON-8-4

品类: MOS管

描述: INFINEON IPG20N06S2L35ATMA1 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 55 V, 0.028 ohm, 10 V, 1.6 V

1618

5+

￥6.6015

25+

￥6.1125

50+

￥5.7702

100+

￥5.6235

500+

￥5.5257

2500+

￥5.4035

5000+

￥5.3546

10000+

￥5.2812

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